RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
14.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1668
3490
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link