RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
38
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1678
2843
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link