Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 39
    Rund um 33% geringere Latenzzeit
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 12.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 7.4
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 39
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 13.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.4 left arrow 7.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1678 left arrow 1940
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RAM 2

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