RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB против SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
26
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.4
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1678
1940
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link