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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1678
1940
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
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