Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Pontuação geral
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 31
    Por volta de 16% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    20.5 left arrow 12.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    15.5 left arrow 7.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 10600
    Por volta de 2.42 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.3 left arrow 20.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.4 left arrow 15.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1678 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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