Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Puntuación global
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 31
    En 16% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.5 left arrow 12.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.5 left arrow 7.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 10600
    En 2.42 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    26 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 20.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.4 left arrow 15.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1678 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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