Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 31

En 16% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.5 12.3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.5 7.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 10600

En 2.42 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1678 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns