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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
31
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
31
Velocità di lettura, GB/s
12.3
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1678
3649
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
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