Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 31

Intorno 16% latenza inferiore

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 12.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.5 7.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 10600

Intorno 2.42 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1678 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns