RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1678
3649
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link