RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
76
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
6.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
76
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.9
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1260
2247
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link