RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3905
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link