RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3905
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link