RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1678
1940
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link