Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

Unterschiede

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 30
    Rund um -25% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.7 left arrow 8.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 5.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    30 left arrow 24
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 15.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.6 left arrow 12.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1344 left arrow 2618
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RAM 1
RAM 2

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