RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
5.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2618
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link