takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

-->

Средняя оценка

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Средняя оценка

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 71

Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения

5 15.5

Среднее значение в тестах

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

Причины выбрать
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.9 1,852.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 71
Скорость чтения, Гб/сек

5,535.6 15.5
Скорость записи, Гб/сек

1,852.4 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

858 1986

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

модули RAM