RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3037
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link