RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3037
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link