RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3042
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link