RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2767
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link