RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
51
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
24
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2767
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link