RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
51
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
24
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2767
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link