RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
63
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2061
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link