RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
63
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
63
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2061
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link