RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2390
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link