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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1344
3208
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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