RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
5.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link