Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 43
    Rund um 28% geringere Latenzzeit
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 12
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 8.6
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    31 left arrow 43
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 12.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 8.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2066 left arrow 1993
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RAM 2

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