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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
43
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
31
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2066
1993
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
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