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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
90
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,140.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
90
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,699.0
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,140.4
14.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
436
3659
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