RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
73
Rund um -161% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
16.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3860
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link