RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
65
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
9.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2464
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link