RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
65
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3089
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link