RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
65
Rund um -210% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
13.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3278
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link