RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
65
Rund um -242% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.4
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
18.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3834
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link