RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
65
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link