RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
65
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
11.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2552
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link