RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
65
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
11.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2710
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link