RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
65
Rund um -171% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
15.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link