RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
65
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
14.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FK 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link