RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
65
Rund um -160% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
17.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link