RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
65
Rund um -183% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
9.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link