RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
65
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
7.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2081
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link