RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
65
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2994
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link