Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Gesamtnote
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Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 16.8
    Durchschnittswert bei den Tests
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    48 left arrow 65
    Rund um -35% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 1,592.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 5300
    Rund um 4.83 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    65 left arrow 48
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,580.8 left arrow 16.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,592.0 left arrow 13.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    572 left arrow 2895
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RAM 1
RAM 2

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