RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
65
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
12.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2962
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link