RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
65
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
10.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link