RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
65
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3527
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link