RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
65
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2821
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link