RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
57
65
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
9.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2253
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link