RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
65
Rund um -171% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
12.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2946
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link